Vật liệu bán dẫn perovskite là một hợp chấtlich dau ngoai hang anh 2025, dải năng lượng của nó có thể điều chỉnh trong khoảng từ 1,2 eV đến 3,2 eV thông qua việc thay đổi thành phần. Khi điều chỉnh dải năng lượng của vật liệu perovskite về khoảng 1,68 eV, kết hợp với vật liệu silic có dải năng lượng 1,12 eV bằng công nghệ ghép lớp, perovskite sẽ đóng vai trò lớp trên hấp thụ các photon có bước sóng ngắn và năng lượng cao, trong khi silic sẽ hấp thụ các photon có bước sóng dài và năng lượng thấp. Việc các tế bào con có dải năng lượng khác nhau hấp thụ ánh sáng ở các dải tần khác nhau giúp giảm tổn thất do quá trình thư giãn nhiệt của các hạt mang điện, từ đó nâng cao hiệu suất chuyển đổi quang điện của pin mặt trời một cách hiệu quả.

Hiệu suất lý thuyết tối đa của pin mặt trời silic đơn tinh thể là 29lich dau ngoai hang anh 2025,4%, trong khi hiệu suất thực nghiệm trong phòng thí nghiệm đạt 26,7%, còn hiệu suất trung bình cao nhất của pin sản xuất hàng loạt chỉ khoảng 24,5%. Hiệu suất lý thuyết tối đa của pin mặt trời ghép lớp perovskite/silic có thể lên tới 42,5%, và hiệu suất thực nghiệm trong phòng thí nghiệm đã đạt 29,52%, vượt qua cả giới hạn lý thuyết của pin silic đơn tinh thể.

Hiện tạikèo tỷ số bóng đá hôm nay, theo kết quả kiểm định của Viện Đo lường Trung Quốc, hiệu suất ổn định đầu ra của pin ghép lớp perovskite/silic nhỏ do công ty YueNeng tự nghiên cứu đã đạt tới 32,44%.